Справочники Ретротехника.Ру

Ретротехника производства Россия-СССР
по алфавиту
Справочник заводов производителей Россия-СССР
Справочник музеи
ретротехники

история Зеленоградского завода Микрон

Искать:

Описание

история Зеленоградского завода Микрон

 

АО «НИИМЭ» - ведущий научно-исследовательский центр «Группы НИИМЭ» в составе отраслевого холдинга ОАО «РТИ» (АФК «Система»), которые образуют единый крупнейший в России комплекс по проведению научно-технологических исследований в области микро- и наноэлектроники, разработке и производству полупроводниковых изделий. 

 
 
2018
АО «НИИМЭ» за счет применения новых технологических и схемотехнических решений разработало новую конструкцию ячейки энергонезависимой памяти для применения в серийно выпускаемых микросхемах отечественного производства I уровня. На основе новой ячейки был спроектирован блок энергонезависимой памяти EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) увеличенного объема для применения в крипто-защищенных микропроцессорах комплексных систем с повышенными требованиями к безопасности и защите данных, таких как государственные системы электронной идентификации личности, включая удостоверения личности, водительские удостоверения, биометрические паспорта, виды на жительство или полисы медицинского страхования. Также инженерами НИИМЭ была разработана новая операционная система, которая позволит заменить линейку ранее использовавшихся микроконтроллеров различного назначения универсальным чипом с увеличенным объемом памяти.

Разработанный АО «НИИМЭ» микроконтроллер MIK51AD144D для электронных документов и смарт-карт был отмечен наградой отраслевой премии «Золотой чип-2018» в номинации «Лучшее изделие ЭКБ 2017-2018 г.»

АО «НИИМЭ» заняло лидирующую позицию по объему выручки от осуществления научной деятельности (1,9 млрд. руб.) в рейтинге организаций радиоэлектронной отрасли России, составленном ЦНИИ «Электроника».
 
2017
Разработанные в АО «НИИМЭ» интегральные микросхемы прошли сертификацию Министерства промышленности и торговли РФ на соответствие продукции промышленного производства первого уровня. Их применение в заграничных паспортах, универсальных электронных картах, водительских удостоверениях, картах платежной системы «МИР» и др. обеспечивают надежное хранение персональных данных, информационную безопасность граждан и технологическую независимость государства.

АО «НИИМЭ» стало полноправным членом Всемирной Полупроводниковой Ассоциации (The Global Semiconductor Alliance, GSA).
 
2016
Решением Президента РФ В.В.Путина генеральный директор АО «НИИМЭ» академик РАН Г.Я.Красников назначен руководителем приоритетного технологического направления по электронным технологиям. АО «НИИМЭ» стало головным предприятием приоритетного технологического направления по электронным технологиям. Это событие вывело деятельность компании на новый уровень, подчеркнуло значимость и высокий потенциал научных разработок: АО «НИИМЭ» стало головным предприятием электронной отрасли России.

В АО «НИИМЭ» создана одна из самых современных и лучших в мире технологий изготовления радиоционно-стойких интегральных схем для космической аппаратуры и приборов. Изделиями разработанными в институте укомплектована новая бортовая машина системы управления российских космических ракет-носителей «Малахит».

Разработаны передовые изделия и технологии проектирования, в том числе, первый отечественный САПР проектирования изделий на ПЛИС и получены первые образцы радиационно-стойкого ПЛИС емкостью 250 тысяч логических элементов.
 
2015
АО "НИИМЭ" разработало новый радиочастотный чип для применения в транспортных приложениях, который стал применяться во всех проездных билетах транспортной сети г.Москвы (наземный и подземный транспорт, пригородные электрички), а также банковский чип для Национальной Системы Платежных Карт «МИР».

В июне 2015 г. Президент РФ В.В. Путин вручил генеральному директору ОАО «НИИМЭ и Микрон», академику РАН Г.Я. Красникову Государственную премию Российской Федерации в области науки и технологий за 2014 год. Указом президента РФ десять сотрудников предприятия за заслуги по разработке и созданию специальной техники, укрепление обороноспособности страны и многолетнюю добросовестную работу были награждены медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени и орденом Дружбы. Семь сотрудников компании стали лауреатами премии Правительства РФ в области науки и техники.

В сентябре 2015 г. ОАО «НИИМЭ и Микрон» и АО «НИИМЭ» стали резидентами Особой экономической зоны «Зеленоград».
 
2014
В конце 2014 г. ОАО «НИИМЭ и Микрон» выпустил первые отечественные двухъядерные микропроцессоры «Эльбрус-2СМ», разработанные ЗАО «МЦСТ» по технологии 90 нм.
 
2013
ОАО «НИИМЭ и Микрон» начало поставки микросхем для паспортно-визовых документов нового поколения (заграничные биопаспорта). На предприятии проводилось около 40 НИОКР, в рамках которых отрабатывалось производство 91 нового изделия. В декабре ОАО «НИИМЭ и Микрон» завершило разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65нм, получив первые работающие транзисторы.
 
2012
В феврале запущена линия по производству микрочипов с топологическим уровнем 90нм. Запуск новой линии позволил нарастить производственную мощность группы компаний в два раза - до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год. Совместно с ФУО «УЭК» разработан отечественный чип для «Универсальной Электронной Карты».
 
2011
1 июля 2011 года Совет директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон» принял решение об учреждении открытого акционерного общества «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» – ОАО «НИИМЭ». Решение о воссоздании «НИИМЭ» было принято в связи с необходимостью создания уникальных продуктов уровня 180-90нм на заводе «Микрон» и развития собственных отечественных технологий производства интегральных схем уровня 90-65-45 нм и менее. Генеральным директором «НИИМЭ» назначен академик РАН Г.Я. Красников. В июне 2011г. состоялось первое заседание Межведомственного совета главных конструкторов по электронной компонентной базе, созданного по поручению Правительства РФ под руководством академика Красникова.
 
2010
Подписано соглашение о передаче на «Микрон» технологии производства микросхем с технологическими нормами 90 нм от компании STMicroelectronics.
 
2009
ГК «РОСНАНО» и АФК «Система» подписали договор о создании на базе технологической площадки ОАО «НИИМЭ и Микрон» производства интегральных схем с проектными нормами 90 нм по технологии компании STMicroelectronics на пластинах 200 мм. ОАО «НИИМЭ и Микрон» подтвердило соответствие стандарту системы экологического менеджмента (СЭМ) ISO 14001:2004. Аудит проведен международной компанией Bureau Veritas Certification.
 
2008
Г.Я. Красников, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» был избран академиком Российской Академии Наук и вошел в состав Совета руководителей Глобального Полупроводникового альянса из стран Европы, Ближнего Востока и Африки (EMEA Leadership Council GSA). Предприятие первым из российских производителей микроэлектроники сертифицировал производство по стандарту Системы экологического менеджмента ISO 14001.
 
2007
ОАО «НИИМЭ и Микрон» совместно с Ассоциацией менеджеров России провели 1-ю Международную конференцию по микроэлектронике. ОАО «НИИМЭ и Микрон» вступило в международную полупроводниковую торговую ассоциацию FSA, ныне преобразованную в GSA (Global Semiconductor Association). Было торжественно открыто производство интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм EEPROM. Россия совершила мощный рывок, сократив десятилетия технологического отставания от передовых стран-производителей электроники. В числе первых разработок по 180 нм технологии стали СБИС для электронных паспортов и социальных карт, БИС для бесконтактных билетов.
 
2006
Подписано соглашение с компанией STMicroelectronics о передаче ОАО «НИИМЭ и Микрон» технологии производства интегральных схем с топологическим уровнем 180 нм и энергонезависимой памятью EEPROM. Открыто производство чип-модулей для контактных смарт-карт. В ноябре ОАО «НИИМЭ и Микрон» приступило к работе с правилами проектирования микросхем по технологии 180 нм EEPROM для российских дизайн-центров. В декабре начаты освоение полного цикла производства RFID-билетов для транспорта и поставки билетов для Московского Метрополитена.
 
2005
Предприятие удостоено общероссийской независимой премии «Золотой Чип». Открыт новый Центр проектирования и цех по сборке компонентов для жидкокристаллических мониторов. А также основана компания «Смарт Карты» (с 2007 - «СИТРОНИКС Смарт Технологии»), вошедшая в бизнес-направление «СИТРОНИКС Микроэлектроника».
 
2002
ОАО «НИИМЭ и Микрон» первым среди промышленных предприятий страны вышло на фондовый рынок. Позднее предприятие вошло в состав ОАО «СИТРОНИКС» (преобразованного из ОАО «Концерн «Научный Центр») как головное предприятие бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектронные решения» (в дальнейшем «СИТРОНИКС Микроэлектроника»).
 
2001
Постановлением Правительства РФ за достигнутые успехи ОАО «НИИМЭ и Микрон» присуждена премия Правительства РФ в области качества. На Первом Московском Международном салоне инноваций и инвестиций предприятие награждено двумя золотыми и двумя серебряными медалями за разработку новых технологических маршрутов. Разработана конструкция, технология изготовления и созданы первые образцы микромеханического волоконно-оптического переключателя.
 
2000
На базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».
 
1999
Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП схемы серии 572. Освоено более 400 типов интегральных схем, ранее выпускавшихся на других предприятиях страны. Построена новая чистая комната, начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 0,8мкм. Получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000.
 
1997
В мае 1997 г. «НИИМЭ и Микрон» вошел в состав холдинга ОАО «Концерн «Научный Центр», начавшего консолидацию российских предприятий электронной отрасли.
 
1994
13 января 1994 г. Московская регистрационная палата зарегистрировала Акционерное Общество Открытого Типа «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон». Разработана технология БиКМОП, создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).
 
1996 - 1999
Завод «Микрон» возглавил Г.Я. Красников. Предприятие получило право самостоятельного выхода на зарубежные рынки. Начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы «Самсунг». Закончен монтаж чистой комнаты «ОЗОН-1» класса 10 на основе отечественных комплектующих.
 
1991
В мае «НИИМЭ и Микрон» вошел в состав холдинга ОАО «Концерн «Научный Центр», начавшего консолидацию российских предприятий электронной отрасли. В 1999г получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000. В 2000г на базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».
 
1986 - 1990
Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556. Организован промышленный выпуск базового матричного кристалла БМК-И-300Б (быстродействие 0,35 нс на вентиль, 1500 вентилей на кристалле) в качестве элементной базы отечественных супер-ЭВМ. Разработана отечественная суперсовмещенная технология (ССТ) получения биполярных транзисторов с высокой степенью интеграции и быстродействием 0,15 нс на вентиль. Освоены первые схемы семейства PAL и телевизионные ИС. 
 
1985
Разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор серии 1802, предназначенный для построения высокопроизводительных ЭВМ и устройств радиоэлектронной аппаратуры, включая РЭА цифровой обработки сигналов. Осуществлены поставки интегральных микросхем для обеспечения программы «Марс-Венера». Начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой.
 
1983
12 апреля 1983 г. Указом Президиума Верховного Совета СССР ОАО НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное выполнение задания по разработке и созданию Единой системы ЭВМ.
 
1980
Сдан в эксплуатацию 17-этажный административно-лабораторный корпус предприятия. Создано производство на основе отечественных «чистых комнат». Начат выпуск ИС на пластинах диаметров 75-100мм. На заводе изготовлена 100-миллионная микросхема.
 
1977
Директором предприятия назначен А.Р.Назарьян. Под его руководством организован промышленный выпуск микросхем для комплектации ЭВМ для стран СЭВ, серии ЭВМ МС и зенитно-ракетной системы ПВО С-300. Первыми заказчиками интегральных схем и больших интегральных схем для цифровых систем стал Институт точной механики и вычислительной техники Академии Наук СССР. Работы велись при непосредственном участии академика В.С.Бурцева.
 
1972
Разработанным в НИИМЭ микросхемам серии 155 присвоен государственный «Знак качества». К этому моменту в стране появилась первая мощная САПР БИС на базе отечественных ЭВМ БЭСМ-6. Организован промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС серий 100 и 500 с быстродействием 2 нс на вентиль, обеспечивших элементной базой:

• сверхбольшую ЭВМ «Эльбрус-2»; 
• машины «Ряд», предназначенные для решения стратегических задач народного хозяйства;
• единую систему ЭВМ, используемую в народном хозяйстве стран СЭВ;
• ЭВМ «Булат».
 
1971
Сданы под монтаж все четыре секции завода «Микрон» площадью свыше 60 тыс. кв. м. Сорок сотрудников предприятия за успешное выполнение заданий 8-й пятилетки получили государственные награды. В том числе Орденом Трудового Красного Знамени был награжден будущий академик Академии Наук СССР К.А.Валиев.
 
1970
Изготовлено и поставлено предприятиям различных отраслей более 3,5 млн. микросхем. В работе института возникли новые направления, появились новые задачи. «НИИМЭ» вошло в число ведущих электронных фирм мира. В начале 1970-х гг. в «НИИМЭ» и на заводе «Микрон» работало около 8 тыс. человек.
 
1967
1 февраля 1967 г. приказом Министра электронной промышленности СССР при НИИ организован завод «Микрон». Ежегодно в «НИИМЭ» разрабатывалось около 25 типов ИС.
Впервые в стране были разработаны и созданы:

• эпитаксиально-планарная технология и комплект оборудования для производства ИС;
• цифровые (транзисторно-транзисторной логики) и аналоговые ИС массового применения;
• пластмассовый корпус ИС и пресс-композиция;
• технология изготовления кремниевых ИС на МОП транзисторах;
• кристаллы быстродействующих ИС эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ);
• планарная технология арсенид-галлиевых микросхем;
• технологии проектирования и производства базовых матричных кристаллов СБИС.

Межведомственная комиссия под руководством академика АН СССР А.А.Дородницына принимает решение о разработке и организации массового производства ЭВМ для всех отраслей народного хозяйства. Разработка цифровых интегральных схем для них поручена НИИМЭ.
 
1966
Выпущенная «НИИМЭ» ИС на 2-х биполярных транзисторах стала первой зарегистрированной в реестре СССР микросхемой. В этом же году в НИИ был организован опытный цех по выпуску микросхем собственной разработки на пластинах кремния диаметром 25 мм. Объем производства транзисторов в первом квартале года достигал 100 000 штук.
 
1965
25 января 1965 г. директором предприятия назначен К.А. Валиев (впоследствии академик Академии Наук СССР). На начало 1965 года в НИИ работало 183 человека. Большинство сотрудников размещалось в общем зале завода «Элион». На площадях завода «Компонент» организована и запущена первая линейка по выпуску бескорпусного планарного биполярного n-p-n-транзистора. В конце года было закончено строительство и принято в эксплуатацию собственное здание «НИИМЭ» площадью 25 тыс. кв. м.
 
1964
АО «НИИМЭ» основан 9 марта 1964 года в соответствии с Приказом Госкомитета СССР по электронной технике. Основными задачами предприятия должны были стать разработка, опытное, а затем, серийное производство полупроводниковых интегральных микросхем. Открытое наименование «НИИ молекулярной электроники» («НИИМЭ») предприятие получило летом 1966 г. 

 

статья отсюда   zelao.mos.ru

 

Легенда о Старосе

А ведь когда-то отечественная микроэлектроника создавалась буквально с «нуля». Один из первых, и, пожалуй, самых любимых на предприятии руководителей академик РАН Камиль Ахметович Валиев вспоминал первые годы создания «Микрона». Он рассказывал, что НИИМЭ как юридическое лицо образован 9 марта 1964 года, на закате эпохи хрущевской оттепели, когда наука и производство, относясь к разным ведомствам, существовали обособленно: НИИ работали «на полку», а производства сокращались.

На Западе тем временем набирала обороты техническая революция, связанная с поворотным открытием, приведшем к бурному развитию микроэлектроники – интеграции транзисторов в кристалле. В это непростое время в судьбе отечественной микроэлектроники главную роль сыграл руководитель Госкомитета СССР по электронной технике, позднее ставший министром электронной промышленности А.И.Шокин.

Развивать «невероятную промышленность» стали двумя путями: на базе существовавших крупных полупроводниковых производств и создавая новый комплекс НИИ и заводов в городе-спутнике Москвы – Зеленограде.

Камиль Ахметович рассказывал легенду о том, как «второе Иваново» из города будущих швейников стало центром отечественной микроэлектроники. Согласно этой легенде член коммунистической партии США Ф.Старос, переехавший в 1956 году в Ленинград, где возглавил лабораторию СЛ-11, которая в 1959 г. была расширена в КБ-2 электронной техники, показал Н.Хрущеву в одну из его поездок в Ленинград образцы микроприемников, предложив план по созданию советского центра электроники в Зеленограде. Это решило судьбу и Зеленограда, и отечественной микроэлектроники, а значит и «Микрона».

Романтики и энтузиасты науки

В начале 1960-х годов в зеленоградской школе швейников и школе металлистов (основные городские производственные строения) разместились первые предприятия. Одновременно проектировались первые зеленоградские НИИ, началось строительство НИИ молекулярной электроники.

Такое название института объясняется не царившей в то время особой «секретностью», а энтузиазмом и амбициозностью первых ученых. Им казалось, что путь от кремниевых микросхем до молекулярной электроники будет коротким, что вот-вот, уже завтра, они приступят к созданию молекулярных схем. Но путь от микро- до молекулярной электроники оказался куда труднее. Даже сегодня, спустя полвека, он все еще не пройден…

Строительные и организационные работы будущего предприятия с 1964 г. возглавил И.Гуреев.

С января 1965 г. руководителем НИИМЭ назначен К.Валиев, 34-летний доктор физико-математических наук, будущий академик РАН. Тогда штат сотрудников уже составляли 183 человека. С Камиля Ахметовича начала и развернулась научная деятельность предприятия.

В последующие годы руководителями были А.Назарьян, А.Нестеров, Н.Щербаков, А.Еременко и ныне действующий Г.Красников, академик РАН.

В первые годы становления Зеленограда как центра микроэлектроники самым дефицитным было время. Средства из бюджета страны поступали фактически в неограниченном количестве.

Чтобы сэкономить время на проектирование НИИМЭ, за основу взяли проект… часового завода – двухэтажное здание, где по периметру располагались комнаты персонала. На первом этаже был обустроен заводской цех, второй этаж предназначался для разработчиков интегральных схем. Строительство здания закончили уже к 1966 году.

Пока оно строилось, коллектив НИИМЭ размещался в одном из цехов расположенного рядом завода «Элион», а для опытного цеха был выделен один пролет в «чистом зале» завода «Компонент».

К 1966 году на предприятии сумели наладить производственную кооперацию: НИИ материаловедения поставлял материалы, оборудование давал НИИ точного машиностроения. Недолго ждали и первых результатов – опытный цех НИИМЭ быстро вышел на производство 100 тысяч транзисторов в месяц.

В 1966 г. опытный цех приступил к выпуску первых серий микросхем «Иртыш» и других интегральных схем собственной разработки. Ежегодно в институте разрабатывалось около 25 типов интегральных схем, каждую из которых ждали гражданские и военные заказчики.

Коллектив НИИМЭ рос и уже не мог совмещать на площадях института разработку и изготовление новых типов микросхем. Необходимость строительства большого опытного завода при НИИ стала очевидной, и 1 февраля 1967 г. приказом министра электронной промышленности СССР при институте был организован завод по производству интегральных схем «Микрон». А уже 27 сентября 1967 г. был заложен его фундамент.

С 1970 г. обязанности заместителя директора НИИМЭ по производству – директора завода «Микрон» в разные годы исполняли И.Ройзенблит, И.Романычев, Ю.Райнов, Ю.Дьяков, Б.Полатайко, Е.Горнев, Г.Красников, А.Поликарпов, Н.Щербаков.

Уже к 1970 году «Микроном» было изготовлено и поставлено различным отраслям более 3,5 млн микросхем. В 1971 г. под монтаж сданы все четыре секции завода площадью свыше 60 тыс. кв. м, а «микроновские» микросхемы серии 155 впервые аттестованы на высшую категорию качества – в 1972 г. им присвоен «Знак качества» СССР.

НИИМЭ и Микрон сыграли решающую роль в становлении микроэлектронной отрасти – они оказывали огромную помощь отечественным серийным заводам по производству интегральных схем, помогали во внедрении разработанных в НИИМЭ технологий и изделий. Это обеспечило создание производства более чем на 30 предприятиях СССР – практически во всех столицах союзных республик и в крупных научно-промышленных центрах страны.

В 1980 г. на «Микроне» была изготовлена 100-миллионная микросхема, начат выпуск интегральных схем для программы «Марс-Венера», создано производство по системе «чистая комната». В этом же году был сдан в эксплуатацию административно-лабораторный корпус площадью более 10 тыс. кв. м.

Указом Президиума Верховного Совета СССР от 12.04.1983 г. НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное выполнение заданий по созданию и производству Единой системы ЭВМ.

НИИМЭ и завод «Микрон» вошел в десятку ведущих микроэлектронных компаний мира. А созданная К.Валиевым научная школа продолжала активно развиваться еще продолжительное время и после его ухода с предприятия в 1977 году.

Время поражений и время побед

После периода стремительного развития, когда наша микроэлектроника была одной из самых передовых в мире, настало и время, когда эта перспективная отрасль оказалась, по сути, не нужной государству. Политика «а это мы купим за рубежом» (рассказывают, что именно этой фразой отвечали директорам НИИ и заводов в Кабинете Министров при премьере Гайдаре) стала настоящим приговором для зеленоградских предприятий.

«Микрон» в это смутное время тоже оказался на краю пропасти. Но коллектив доверил свое будущее и будущее предприятия новому директору Г.Я.Красникову, который не допустил распада предприятия на мелкие компании и сохранил и завод, и НИИ.

И сегодня НИИМЭ и завод «Микрон»успешно осваивает новые рубежи микроэлектронной отрасли, сокращая технологическое отставание. Два года назад здесь было открыто производство интегральных схем с топологическими нормами 90 нм. И вот уже сегодня «Микрон» объявляет, что в 2014 г. начнет серийное производство микросхем по топологии 65 нанометров, совершив еще один технологический рывок.

«Освоение «Микроном» 90-нм технологии и успешный запуск производства в 2012 году во многом помог подготовить инфраструктуру, инженеров-технологов и разработчиков к переходу на новый топологический уровень, – отмечает генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», академик РАН Геннадий Красников. – Получив уникальный опыт разработки собственной технологии в дополнение к уже имеющемуся у нас опыту создания современного микроэлектронного производства, мы сможем приступить к серийному производству по 65-нм технологии, одновременно двигаясь к следующему топологическому уровню – 45 нанометрам».


Комментарии (0)

Добавить новый комментарий

Разрешённые теги: <b><i><br>Добавить новый комментарий: