транзистор 2Т914А

Искать:

купить, продать транзистор 2Т914А, цены

Описание

транзистор 2Т914А

Транзисторы 2Т914А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p генераторные. 
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 400 МГц при напряжении питания 28 В. 
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. 
Тип прибора указывается на корпусе. 
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-4-2.
Технические условия: АЕЯР.432150.048 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т914А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7,2 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  0,8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 2 мА (65В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 12 Ом;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 7,2 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс

transistor 2T914A

Transistors 2T914A silicon epitaxial-planar structures pnp generator.
Designed for use in power amplifiers, frequency multipliers and oscillators at frequencies up to 400 MHz at a supply voltage of 28 V.
Available in a cermet case with rigid leads and mounting screw.
The type of instrument is indicated on the housing.
The mass of the transistor is not more than 6 g.
Case type: CT-4-2.
Specifications: AEYAR.432150.048 TU.

The main technical characteristics of the transistor 2T914A:
• Transistor structure: pnp;
• Pk t max - Constant power dissipation of the collector with a heat sink: 7.2 W;
• fgr - Boundary frequency of the transistor current transfer ratio for a common emitter circuit: more than 350 MHz;
• Ukbo max - Maximum collector-base voltage for a given reverse collector current and open emitter circuit: 65 V;
• Uebo max - Maximum emitter-base voltage for a given emitter reverse current and open collector circuit: 4 V;
• Iк max - Maximum permissible DC collector current: 0.8 A;
• Ik and max - Maximum allowable pulse collector current: 1.5 A;
• Iкэr - Reverse current collector-emitter at specified reverse voltage collector-emitter and resistance in the base-emitter circuit: not more than 2 mA (65V);
• h21e - Static current transfer ratio of the transistor for circuits with a common emitter: 10 ... 60;
• Ck - Capacity of the collector junction: not more than 12 pF;
• Rke us - Saturation resistance between collector and emitter: not more than 12 Ohm;
• Pout - Transistor output power: at least 7.2 W at a frequency of 400 MHz;
• tк - Time constant of the feedback circuit at high frequency: no more than 20 ps